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In Seite NAND-Flash:

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In einer NAND-Flashzelle kann im Rahmen des Floating Gate die Datenspeicherung mit einer unterschiedlichen Anzahl von Spannungsniveaus erfolgen. Mit zwei verschiedenen Spannungsniveaus pro Zelle kann ein Bit pro Zelle gespeichert werden, diese NAND-Zellen werden auch als SLC-Speicherzelle bezeichnet. Werden vier verschiedene Spannungsniveaus verwendet, können damit zwei Bit pro Zelle gespeichert werden, wie es bei den MLC-Speicherzellen der Fall ist. Mit acht Spannungsniveaus lassen sich drei Bit pro NAND-Zelle speichern, TLC-Speicherzellen genannt; Speicherzellen mit 16 Niveaus, passend für vier Bit, heißen QLC-Speicherzellen.

Der Vorteil der SLC-Speicherzellen ist eine höhere Anzahl von Schreib-/Lesezyklen und höhere Robustheit, da bei diesen beim Auslesevorgang nur unter zwei Spannungswerte unterschieden werden muss.

Der Vorteil der MLC- und erst recht der TLC- und QLC-Speicherzellen ist eine effizientere Ausnutzung der Chipfläche und höhere Speicherdichte. Nachteile dieser Speicherzellentypen sind unter anderem die längeren Zugriffszeiten sowie die reduzierte Anzahl von möglichen Schreib-/Lesezyklen bis zum Ausfall. Diese Reduktion folgt aus dem Umstand, dass durch den Einsatz von vier oder mehr Spannungsebenen die Unterscheidung zwischen den einzelnen Spannungen schwieriger und mit größeren Fehlerwahrscheinlichkeiten behaftet ist.

Wegen zunehmender Probleme mit der Strukturverkleinerung kommen seit 2013 zunehmend 3D-V-NAND-Zellen zum Einsatz. Im Gegensatz zur konventionellen Planartechnik stehen nun die Transistoren vertikal zur Chipfläche und sind zudem in mehreren Ebenen angeordnet (siehe auch Charge-Trapping-Speicher). Als Konkurrenz dazu haben Intel und Micron zusätzlich die Speichertechnologie 3D XPoint entwickelt.